新一代航天器对宇航芯片提出更高性能与更强辐射防护标准，其中碳纳米管作为最有潜力的半导体材料，因其优越的栅控效率和驱动能力，在后摩尔时期表现出色，并且在空间应用领域有广阔的发展前景。

中科院微电子所发布官方信息：

基于局域底栅的微电子所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学张志勇教授、中科院空间中心陈睿副研究员共同合作研究出碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并对它们进行综合辐射耐受性能测试。私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596实验显示，局域底栅的碳纳米管晶体管和静态存储器在遭受28千电子伏特的位移损伤射线后仍然可以承受每平方米104毫埃莱克特里恩剂量射线照射和每厘米百万兆瓦尔格单粒子照射（图1所示）。实验结果显示，局域底栅碳纳米管晶体管与随机存储器在遭受2.8×1013MeV/g位移损伤射线照射后可以承受比硅基半导体器件高四倍的电离辐射总剂量和激光单粒子辐射总剂量。

该研究得到国家自然科学基金的支持。近日，研究成果以“Ultra-Strong Comprehen私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596sive Radiation Effect Tolerance in Carbon Nanotube Electronics”为题发表于国际著名期刊“Small”上（DOI：10.1002/smll.202204537）。抗辐照器件技术重点实验室陆芃博士为该论文共同第一作者，李博研究员为该论文共同通讯作者。

图一显示了碳纳米管元件和电路的激光仿真单粒子测试结果。

图二：描述碳纳米管器件及其电路对电磁辐射的强大抵御力