2025年9月25日作为全球创新与技术的先锋三菱电机在2025 PCIM Asia展会上隆重亮相展示多款尖端功率半导体产品。其中包括面向中功率空调领域的Compact DIPIPMTM和SiC SLIMDIP™模块、为新能源应用定制的第8代IGBT模块以及专为电动汽车设计的J3系列SiC功率模块以及轨道交通牵引电力传输用SBD嵌入式高压SiC模块等前沿解决方案。

以下是展示台的照片

媒体发布：关于创新与可持续未来的专题会议

2025年9月24日，三菱电机在PCIM Asia期间举办发布会，主题是“创新功率器件构建可持续未来”，旨在分享公司在半导体业务的概况、功率芯片路线图和新型模块亮点。发布会上，公司总经理赤田智史、资深研究员Gourab Majumdar博士以及产品战略部部长野口宏一郎博士详细介绍了公司的半导体业务状况，而Majumdar博士、野口宏一郎博士、赤田智史共同参与了媒体问答环节。发布会还就三菱电机最新产品与技术趋势进行了交流，并分享了其市场战略。

“发布”后的图片

业务状况方面：全年实现营业收入和净利润的双额新高，这进一步巩固了公司战略方向为关键性的竞争力。

作为领先的科技企业，三菱电机深耕半导体行业近 69 年，凭借其多项核心技术专长与产业化能力，在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元件及家电市场均占有一席之地。三菱电机在变频家用电器、轨道运输、工业和新能源领域、电动汽车以及模拟/数字通讯、有线/无线通讯的关键应用中提供广泛的半导体产品，助力各行业的高效运行与绿色转型。

在业务层面上，三菱电机的最近财务报告显示，公司在复杂市场环境中展现了稳健的成长态势，在截止于2025财年的营业额为5,521.7亿日元，而这一年度的营业利润也达到3918亿日元。尽管面临汇率变动的影响，预计在2026年（即2025年4月至2026年3月期间）三菱电机将实现营业额约5,400亿日元，同时其营业利润将再度提高至4300亿日元。

在半导体领域，2025财年预期营收达2,863亿日元，并预测2026财年的收入将增至2,900亿日元。主要得益于光通信器件的强劲增长及产品组合的优化。预计2026财年的营业利润为310亿日元，尽管受到汇率变动和折旧成本的影响，但公司仍将加大功率器件与光器件领域的投入力度，以增强其市场竞争力。

三菱电机将在熊本县开设的新八英寸SiC晶圆工厂定于2025年11月开始营运。与此同时，位于福冈县的模块封装及测试厂计划在同年10月开建，预计会在2026年开始营运。

三菱电机机电（上海）有限公司的半导体业务部总经理是赤田智史。

技术路线为“硅+碳化硅的双轨并行”。

在这场发布会上，三菱电机的资深研究专家Gourab Majumdar博士（Dr. Gourab Majumdar）为大众详尽剖析了公司对功率芯片技术的战略部署，并详细解释了公司在硅基及碳化硅基器件上取得的技术进展与长远布局。

在功率芯片技术方面，三菱电机致力于硅基IGBT和碳化硅基MOSFET的协同发展，并取得了显著成就。早在第8代时，三菱电机就通过采用CSTBT™技术、超薄晶圆、分段门结构（Split Gate）和深层缓冲（CPL）等创新方法来提升器件性能并降低其损耗，从而提高了产品的可靠性。在第8代IGBT的基础上，三菱电机进一步研发了两段式门极设计，以优化dv/dt与di/dt的控制参数，使其能满足更广泛的驱动应用需求。

在碳化硅技术领域中，三菱电机已经发布其第四代沟槽栅SiC-MOSFET产品，该款产品具备优异的栅极可靠性及低导通电阻等优势。为了优化电路的设计与性能，他们通过减少侧壁P-well结构和高浓度JFET掺杂来降低比导通电阻（Ron,sp），私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596相比传统平面栅SiC-MOSFET而言降低至少50%以上。未来，公司计划每隔两年推出一代新型SiC-MOSFET产品，以引领行业技术的持续创新。

三菱电机功率器件制作所资深研究员Gourab Majumdar博士

硅碳 (SiC) 最新技术的升级版：效能显著提升，以及最高电压的创新探索

发布会上重点强调了基于碳化硅(SiC)技术的电力元件研发。三菱电机半导体研究所高级研究员Jabir Majumdar博士深入解释了SiC-MOSFET技术的最新进展，并且特别提到了它对电动汽车和绿色能源领域的重要性。

第 4 代 SiC MOSFET 采用沟槽栅（Trench）结构，与传统平面设计相比，其导通电阻 （Ron,sp）降低了超过50%。改进方面主要有：通过在沟槽底部添加电场松弛层来提高栅极可靠性和降低跨溢电容，并改善开关损耗；斜向离子注入并添加 p 层在沟槽侧壁以减少交叉电容，同时也有助于控制开关电阻和电流损失。

以解决二极管衰退问题为目的，三菱电机推出了两种独具特色的解决方案：

在中低电压领域，采用质子注入层的技术能够将普通二极管的承受电流提升至传统方案中的1.67倍。而对于高压应用，我们提供的是SBD嵌入式结构的设计方案。这一创新设计不仅缩小了芯片面积54%，而且没有退化风险。

三菱电机的新路线图显示其将继续采用每年一代的更新速度：到 2028 年推出下一代产品 Gen.5, 在接下来的年份将推出下一代产品 Gen.6，同时电压等级从当前的 1.7kV/3.3kV，扩展至 2.5kV/6.5kV，以满足新能源发电和高压输配电的需求。

新产品的突出特性是提供了一种模块化解决方案，旨在推动整个行业的革新。

三菱电机集中发布了多款面向家电、可再生能源、电动汽车及高压输电领域的最新功率半导体模块。包括Compact DIPIPMTM 、SiC SLIMDIP™、第8代 IGBT LV100 模块、J3 系列 SiC 模块以及 Unifull™ 系列SBD嵌入式SiC模块。这些新品以“高效能、低损耗、高可靠性”为核心优势，契合行业差异化需求，将进一步推动功率半导体技术迭代与应用升级。

- Compact DIPIPMTM：

由Compact DIPIPM系列产品开发的变频家电和工业应用中，包括30A/600V和50A/600V两个等级。样品自9月22日开始发售，并采用第3代RC-IGBT封装尺寸已缩减至Mini DIPIPM的53%，有助于客户实现柜式变频空调等应用中的更紧凑逆变控制器。该产品还新增互锁功能用于桥臂短路保护，简化逆变器基板设计。此外，通过将连续工作温度下限扩展至-40°C，进一步拓宽了变频空调和工业设备的工作温度范围，并特别有助于冬季寒冷地区使用更广泛变频空调。

- SiC SLIMDIP™：

为住宅空调设计提供全SiC与SiC辅助型（SiC+Si RC-IGBT并联）两种方案；前者可降低约79%的功率损耗；后者则约为47%，以帮助家电制造商加速节能改造进程。

（SiC SLIMDIP™ 功率半导体模块）

- 第8代 IGBT LV100 模块：

为了进一步提高IGBT模块的密度，三菱电机推出第8代IGBT模块。其核心创新包括双段式分裂栅（SplitGate）及深层缓冲层(CPL)，可有效降低导通与开关损耗。在100×140×40mm的标准封装中，第8代IGBT的额定参数较第7代提高了25%，功率从原来的1200V/1200A提升至1200V/1800A，在光伏及风力逆变器等新能源应用中提供更高功率和效率解决方案。

Lv.100 的封装型第8代IGBT模块。

J3 系列的SiC功率模块

三菱电机推出面向电动汽车主驱逆变器的SiC功率模块J3系列。其中，J3-T-PM型模块采用紧凑式注塑封装，额定电压1,300V、电流350A，低电感设计结合优化散热性能，可灵活并联满足150至300kW主驱动需求。该系列产品还包含继电器模块（相比于传统机械继电器，体积缩减约60%，寿命更长），以及标准型私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596SiC芯片（750V/1200V），从而简化设计降低成本，并为不同车型应用提供灵活的方案。

（J3-T-PM、J3-HEXA-S、J3-HEXA-L、J3-Relay 模块）

- Unifull™系列SBD嵌入式SiC模块：

面向高压输配电领域，采用LV100封装的型号为“EVS3.3kV200-800”芯片，额定电压为3.3千伏，最大允许电流范围为200至800安培。创新设计使其在芯片面积方面缩减了54%，从而显著降低了开关损耗；同时，这一解决方案也彻底消除了双极退化风险。该模块已经于2023年5月和6月正式发布，并已开始量产。目前它已在国内外高压直流输电与轨道交通系统中得到了应用。

Unifull™系列SBD嵌入式SiC 模块

这些创新模块将持续推动功率半导体行业向更高效、更可靠和更绿色的方向升级。依托在SiC与硅基技术的双轨布局以及产能扩张规划，三菱电机将不断优化产品结构，提升全球市场的响应能力。公司将继续与产业链合作伙伴携手，以领先的功率半导体技术赋能家电、电动汽车、可再生能源及高压输电等关键领域，加速能源转型和可持续发展目标的实现。

“三菱电机功率器件制作所产品战略部部长野口宏一郎博士”

未来发展预测：大规模的集约化发展以及国际化战略实施。

未来几年三菱电机将加大在功率半导体领域的投入尤其关注碳化硅（SiC）及其他宽禁带技术的研发与产业化。计划于2025年11月投产位于熊本县的新工厂8英寸 SiC晶圆以扩大产能和提升生产效率满足全球快速增长的市场需求。另外计划在福冈县新建模块组装及检测工厂预计于2026年10月投产。

关于技术演进，Silicon Carbide (SiC) 技术将以每年一代的速度迭代更新：2026 年将推出Gen.5版本、2028年推向 Gen.6版，并将在电压等级上持续扩展，从1.7kV提升到2.5kV，再进一步拓展到3.3kV与6.5kV，旨在满足可再生能源发电、固态变压器(SST/PET)和高压直流输电(HVDC)等高压应用的需要。Silicon基技术领域，公司将致力于推进第9代绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)的研发工作，通过探索多栅极及双面控制等创新设计策略，来不断攻克性能损耗与可靠性的关键技术瓶颈。

三菱电机计划联手全球伙伴，在其在低损耗及高性能的功率半导体方面的领导地位基础上，携手推进行业发展以期实现更高的效率和更低的能耗，并朝着绿色能源的目标迈进，进而配合推动全球范围内的长期目标：促进能源转型和可持续发展。

三菱电机电机（上海）公司介绍

成立于1921年的三菱电机是全球知名的综合性企业集团，其业务领域遍布电力设备、通信设备、工业自动化以及电子元器件等众多行业。作为一家技术主导型企业，该集团拥有多项领先技术和强大的企业信誉，在多个市场中占据了重要位置。

三菱电机(中国)有限公司致力于传播中国人智慧并将其化为发展动力推动行业发展以增进社会福祉。

三菱电机的半导体产品包括三菱功率模块（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、SiC MOSFET等）、微波/射频和高频光器件以及光模块，其中三菱功率模块可满足您在电机控制、电源及白色家电领域对变频、节能与环保的需求，并有助于提升其整体性能；另外三菱系列光器件和光模块产品则能为您的各种模拟或数字通讯应用提供解决方案。

更多信息，请登陆三菱电机机电（上海）有限公司网站：http://www.MitsubishiElectric-mesh.com或三菱电机半导体全球网站：www.mitsubishielectric.com/semiconductors，或请关注【三菱电机半导体】官方微信，微信公众号“GCME-SCD”。

三菱电机半导体的官方微信号