打造创新的功率电子技术是构建可持续未来的关键

三菱电机将参展PCIM亚洲2025

随着“双碳”目标的实施，功率半导体正日益成为高效家电和新能源汽车发展的关键组成部分。将于2025年9月在PCIM Asia 2025（上海）展示最新一代功率半导体产品三菱电机，并计划于9月24日举行与媒体交流会，共同探讨如何借助功率半导体技术推动绿色未来。

在这一届的PCIM展览中，三菱电机将以三大明星产品的展示为亮点。

面向大容量家电的SiC SLIMDIP™ 功率半导体模块

这款三菱电机推出的SiC SLIMDIP™模组是其首次针对家电应用推出的产品。这类模组分为全SiC DIPIPM™与混合SiC DIPIPM™两个系列，它们分别展示了模块技术上的新进展。

全SiC SLIMDIP™内置的专为SLIMDIP™封装优化的SiC-MOSFET芯片能够在家电应用中显著提高输出功率和能效，相比其他解决方案具有明显优势。该技术有效减少电力消耗，适用于空调等家电产品的高效运行。 混合SiC SLIMDIP™通过整合多个低电流下的SiC MOSFET（在较低电流下导通电压较底）与高电流下的SiRC-IGBT（保持优良的导电性），既可确保低功耗表现，又具备稳定的性能。这种设计方式在提升家电产品节能的同时，兼顾了可靠性和成本竞争力。 这一创新方案有助于家电厂商在追求节电的前提下，仍然能够维持较高的可靠性及成本效益。

这一系列家电产品作为家用电器节能更新迭代的核心驱动，对于促进家庭能源消费和全社会能源结构绿色转变发挥着关键作用。

第八代IGBT模块

三菱电机全新推出的第8代IGBT模块，私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596重点突破在于更高功率密度、更低损耗、更优散热：

第7代产品的额定电压为1200V，最大电流为1200A，而第8代产品则提升了电压到1200V/1800A；此外，在此期间，NX封装开发了5款不同的规格产品，包括1000A/1200V半桥、以及800~1000A/1200V Split-NPC（半桥+钳位二极管）等。

第八代IGBT模块拥有更强的电流承载能力和热管理技术，它能更好地满足在高功率应用场景下对性能的需求，这些应用包括但不限于光伏发电、轨道列车以及工业电机驱动系统等，能够提供更可靠和高效的能量转换方案来满足用户的需要。

聚焦于为电动汽车设计开发的J3系列SiC-MOSFET功率半导体模块

三菱电机隆重发布J3系列SiC-MOSFET功率半导体模块，该系列产品旨在满足电动汽车中对于高功率密度及高效能的需求。

J3-T-PM半桥模块采用紧凑型第3代T-PM封装，具备优异的散热能力和极低的热阻特性，并内嵌高效SiC MOSFET芯片，独特沟槽栅设计能抑制Vth漂移及损耗退化；适配逆变器小型化的需要，并允许多个模块串联使用，扩大功率范围。J3-HEXA私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596全桥模块可以适用于电动车不同容量等级的逆变器应用领域，支持高性能的电驱系统，确保高速运行时电动车的电驱动系统的稳定性要求。此外，J3继电器模块采用J3-T-PM紧凑型封装设计，并内置高效SiC MOSFET的低损耗技术专用于电池断路单元及切换/断开回路的设计，提供双向和单向开关两种结构，内置快速短路保护，以保障电动车电控系统的高安全性。

J3系列凭借其高强度的能效和高度灵活性，是新能源车辆实现微型化、减重并提高性能的关键组件。

“媒体见面会的预告”

主题：创新与可再生能源在2025年9月24日14:00在上海卓美亚喜玛拉雅酒店的会议中展开探讨。

届时，三菱电机将会展示其在功率半导体领域的最新研究成果，并公布最新的功率半导体技术发展趋势以及具体的应用案例和前景分析。

报名入口:

（请提前完成报名，席位有限，先到先得）

期待与您共同见证功率半导体的新进展，请关注三菱电机在PCIM Asia 2025的精彩亮相！