本周二25日消息，在韩国的SK海力士宣布已经成功完成了321层QLC（千兆字节）闪存的研发，并正式启动了批量生产。这是全球首次在QLC闪存技术中实现300层以上的3D堆叠结构，进一步提高了存储器的密度并树立了新纪录。

根据存储单元中能存储的数据位数来划分闪存类别，可将其分为单层单元、多层单元、三层单元、四层单元以及五层单元。每一层单元的存储密度都会随存储单元中可用数据位的数量而变化，位数越多则空间占用就越少，使得体积更小且容量更大，从而有效提高了整体闪存性能与效率。

为提升成本竞争力，SK海力士开发出了容量达到2Tb的产品，这比现有产品增加了两倍容量，将产品性能提升到新高度。在面临大容量存储可能出现的性能瓶颈时，该公司采用一种创新设计，其内部采用了6个平面独立操作单元，相比原有的4个有了显著提升，从而进一步提升了并行处理能力，大幅优化了读取性能。

得益于我们采取的改进措施，新款321系列QLC闪存与之前的版本相比，在容量上有大幅度的提高，并且在性能方面进行了全面优化升级：读取和写入速度都有所提升，特别是数据传输速度比之前提高了18%，而且写入性能更是提升了56%。

此外，重要的一点需要提及是，我们显著提高了节能效果，使之在市场上具备极强的竞争力。

根据消息，SK海力士将首先将其321层闪存应用于适用于消费级个人电脑的固态硬盘上，旨在为用户提供更大容量以及更快的数据读写速度，从而提升其整体性能与体验。随后，它还将扩展该技术的应用范围至数据中心及企业级应用，以满足多样化且不断增长的需求，并提供更优的应用场景解决方案

三星SDRAM闪存部门主管说：“随着321层2Tb QLC闪存即将量产，我们进一步加强了容量产品阵容，并巩固了成本优势。在人工智能需求迅速增长以及数据中心对高性能存储设施的需求日益迫切的情况下，我们将实现关键性进展，成为全方位私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596的人工智能存储解决方案的领导厂商。”

韩国存储芯片巨头SK海力士公司日前表示，他们目前正在测试一项新的3D闪存技术，并计划在未来的一年内向全球客户推出其成果，该产品的读写速度比目前市面上最先进的2Tb QLC闪存产品高出两倍以上。预计这一新技术将在未来几年内全面替代市场上现有的闪存规格，为消费电子和企业级存储市场带来革命性变化。

NAND闪存根据每个单元的位数（Bit)可以储存信息量的不同，分为SLC、MLC、TLC、QLC、PLC等多种规格。单元的位数越大，表示存储在单一芯片上的数据量也越庞大，因此单位面积内的信息容量自然就越多。

平面是一种芯片中的单元以及其外围电路；它将从前四个增加到六个，同时提高了处理性能的一个方面，提升了数据传输能力。

**32 Die package** 指的是采用一种方法将多个芯片（chip）结合到一起，以便增加它们的容量。这通常通过在封装中将32 个Die （裸片/单元）合并在一起来实现。这种技术可以节省空间并提高性能。