近年来，从充电头网多款拆解报告中我们可以看到，英诺赛科推出的GaN功率器件广泛应用于大功率快充LLC电路中。在传统的LLC电路中常常选用高压MOS作为初级功率器件应用。然而随着快充功率需求和功率密度的不断攀升，传统硅MOS逐渐成为瓶颈，限制了整体功率密度的提升。此时，英诺赛科的氮化镓功率器件凭借其优异的高频特性和低损耗优势，为LLC架构带来了新的突破空间。

文中出现的英诺赛科氮化镓如上表所示，从650V到700V的多颗氮化镓，在数十款知名品牌高功率快充中LLC电路中均有大量应用。

英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596最高工作温度150℃。INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。

在LLC电路中，INN650D02的低阻和出色的高频特性，帮助提升电源转换效率，减少开关损耗，并降低热量产生，现今获得华科生 230W 4C1A氮化镓桌面充、安述智能240W电源适配器、SPRUCE 140W 3C1A无线充二合一充电座以及福佳240W DC氮化镓电源适配器应用。

应用案例：

1、拆解报告：华科生私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596 230W 4C1A氮化镓桌面充

2、拆解一款游戏本专用240W氮化镓+碳化硅适配器

3、拆解报告：SPRUCE 140W 3C1A无线充二合一充电座

4、拆解报告：福佳240W DC氮化镓电源适配器

英诺赛科INN650D150A是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，导阻150mΩ，采用DFN8*8封装。INN650D150A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

该器件应用案例包括HyperJuice 245W 4USB-C口氮化镓桌面充电器和倍思240W 3C1A+DC氮化镓桌面充电器，两者均在LLC电路中通过INN650D150A实现更高的功率密度。

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