北京4月21日电 Micro-LED因其卓越性能，被广泛应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等领域。近期，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的研究员梁静秋及其团队发现，在缩小尺寸后，硅衬底上的铝镓铟磷（AlGaInP）红光微型LED芯片能够承受更大的电流密度。在高注入电流的情况下，私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596散热性能有所提升，并且中心波长的变化减小。这一研究结果有望进一步推动红光微型LED（Micro-LED）在全彩显示技术领域的应用进展。该研究成果已发表于《Results in Physics》期刊上。

Micro-LED 显示技术面临的主要挑战是如何实现高分辨率和高像素密度。对此，梁静秋解释道：由于像素尺寸缩小导致的表面非辐射复合增加，会引发光电效率降低的问题。在器件制备过程中私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596使用的 ICP 刻蚀工艺又进一步加重了侧壁上的缺陷问题。

研究团队采用了晶圆键合和衬底转移技术，测试了5种不同像素尺寸的硅衬底AlGaInP红光Micro-LED的尺寸效应。他们使用低损伤刻蚀技术来减少LED芯片侧壁上的缺陷；同时选用散热性能更好的硅衬底替换掉砷化镓（GaAs）衬底，这样既提升了LED芯片的散热性能，又减少了GaAs衬底对红光吸收的影响。

研究小组提出了一种全新的解决方案以解决Micro-LED全彩显示技术的问题。

相关论文信息：https://doi.org/10.1016/j.rinp.2022.10544