鸿海精密获得的一项专利（12046648）用于半导体材料中的快速传输功能，旨在提升数据输入处理效率。

美国专利商标局最近公布了一份专利摘要：“具有3D闪存存储单元的半导体器件包括堆栈结构、阻塞层、至少一个浮动栅极层、隧道介电层以及通道层。堆栈结构包括至少一个控制门层，私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596至少一个介电层和至少一个擦除层；阻塞层与控制门层共面，而浮栅层则接收并且隔离控制门层通过阻塞层。隧道介电层覆盖阻塞层及浮栅层的侧壁。通道层放置于隧道介电层的一侧。当存储单元执行数据读/写过程时，会在擦私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596除层上施加电压，以减少通道层串联电阻，使半导体器件迅速导通。”

提交专利申请的日期是2021年11月30日（CN 21796460.6）。

专利链接：ppubs.uspto.gov/pubwebapp/external.html?q=(12046648).pn.&db=%20USPAT&type=%20ids