日前，四维图新公布了一款采用最新ReRAM技术的AI专用内存产品，其能提供更高效的计算存储，并能够显著降低能耗。

基于PCMO（镨、钙、锰和氧）ReRAM技术的接口切换性能优于其他丝状ReRAM技术，这是首家将这种高效且耐用的可编程电阻记忆体芯片在先进的CMOS节点上开发的应用于市场的企业。

人工智能市场面临的最大挑战之一是如何有效应对需要读入芯片、执行处理操作并将其结果写回芯片的大量数据流，尽管新的芯片架构将内存与计算（内存中计算）引入，但其受到可用快且可集成存储空间的限制。

有了更大的模型，计算数据备份与恢复的挑战也随之增加。根据国际能源署的数据，除了速度之外，AI处理的能量消耗量在2026年比2023年的10倍还要多。由于4DS在它的持久性窗口内不需要刷新，并且可以在DRAM的操作窗口内的“刷新”（"隐藏刷新"），因此它为人工智能时代提供了独特的高能效、高速度和高强度的内存技术。

首席技术官Peter Himes表示：“利用4Ds技术的CPU/服务器系统以及新兴AI处理器架构可以为大数据和神经网络应用开发出更快、更节能和效率更高的解决方案”。4Ds是唯一具备商业可行性的基于PCMO的技术，私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596它展现了下一代的大数据和人工智能应用所需可靠性能、快速速度和高效能。

4DS 采用基于面积的 ReRAM 技术，其主要功能在于提供多种功能性解决方案。

基于面积的低电流编程策略能提升DRAM芯片耐久性并实现超高速响应，而其通过技术节点扩展可满足客户对高性能数据保护的需求。AST单次写入时序仅为4.7ns，可在DRAM速度下提供极低的每比特功耗。其高带宽持久内存功能能够有效提升系统的数据保护效能，并达到109的耐久性级别。动态分区设计可以灵活配置高耐久性和高保留扇区，支持从几小时到几天甚至几个月的数据保 护时间。2024年四季度，基于20nm技术标准的电池芯片将由最先进的CMOS工艺轻松集成至任何产品中，并展示了强大的性能表现和优异的成本效益。

该司与总部位于比利时imec(纳米电子及数字技术研究中心)就合作开发20nmMb芯片事宜达成协议，在imec上运行含有16亿个元件的新型微处理器，该项目将在2024年正式实施。

关于PCMO ReRAM，ReRAM属于一类可编程电阻存储器，其工作机制基于单元层间的接口特性。具体来说，每个接插区域都参与到切换中，这就是为什么它有时也被称作基于界面的切换。通过细胞私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596中的氧离子可以将电流传导出来，并且当这种氧气存在时，这些细胞会导电，被称之为“SET”。同样地，当氧气消失时，导通路径会丢失，被称为“RST”。由于涉及到整个接插区域，因此电流密度维持在最低水平，有助于电池的高耐用性。

关于4DS Memory，这是硅谷地区一家半导体技术公司，其主要业务是为最先进的CMOS工艺节点提供高带宽、高耐久性和非易失性存储解决方案。 该公司的核心技术被称作接换ReRAM，并拥有可调持久性和低每比特能耗的特性，适用于当今最为复杂的计算密集型和AI处理任务。 该企业成立于2007年，拥有了超过34项美国专利组合的知识产权，是第一个在先进CMOS工艺节点上开发基于区域的ReRAM（也称为PCMO）产品的公司。它与存储解决方案供应商Western Digital子公司HGST签订了一份联合研发协议，并且已经与总部位于比利时的纳米电子和数字技术研究及创新中心 imec 签订了研发合作协定，双方将在推动新型DRAM产品的发展方面共同努力。