科技号报道，npj Unconventional Computing刊文由慕尼黑工业大学的 Mahdi Benkhelifa、Simon Thomann撰写，其研究成果由慕尼黑工业大学计算、信息与技术学院发表；论文针对慕尼黑大学机器人智能研究所人工智能处理器的研究课题展开论述，美国印第安纳州圣母大学电气工程系 Kai Ni和慕尼黑工业大学计算、信息与技术学院 AI 处理器设计主席 Hussam Amrouch均参与研究。

摘要：这项工作提出了一种新颖的双比特铁电场效应晶体管（FeFET）结构，该结构可以通过分段金属栅极对铁电层进行局部控制。这种设计允许在FE材料的不同区域进行独立的域切换，使存储单元能够存储两个离散位，并同时保持稳健的读取裕量。私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596至关重要的是，这种方法消除了对复杂脉冲方案的需求，例如多级单元（MLC）FeFET通常需要的阶梯写入电压脉冲。通过全面的TCAD仿真演示了该器件的功能，并考虑了过程变化和随机域切换行为。即使将编程/擦除（P/E）电压降低到±3.3V，脉冲持续时间为1μs，该器件也能实现高达1.61V的大内存窗口，从而显著提高了效率和耐用性。相比之下，传统的Fe私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596FET需要更高的写入电压（即±4 V，持续10μs），这会加速潜在缺陷和陷阱的产生，导致耐用性有限。我们的双位设计有可能延长基于FeFET的交叉开关阵列的耐用性，这对于AI加速器至关重要。通过有效地将存储容量增加一倍，这种方法降低了权重重新编程的频率，解决了现有内存计算架构中的一个关键限制。“”