半桥拓扑是一种由两个功率器件与电感组成的经典电路结构，通过交替驱动两个功率器件实现电能的高效变换与传输，可灵活实现升压或降压功能。其电路简单、易于实现，且器件电压应力较低，因而在电源转换、电机驱动、逆变器等众多领域得到广泛应用。

近年来，低压半桥氮化镓功率芯片凭借高频性能与快速开关优势，正逐步渗透至通信设备、消费电子、数据中心与服务器、人工智能与自动驾驶以及工业电源等应用场景。相较于高压产品，其耐压等级通常在100V左右，更适合48V及以下系统，成为高性能电源架构中的重要选择。

充电头网基于上一批文章，新增多款半桥氮化镓产品，并最终一并汇总至如上表所示。文中排名不分先后，按企业英文首字母排序。

宜普EPC2152是一颗额定输出电流15 A，工作PWM频率范围3 MHz，耐压80V、偏置电源电压12V的半桥功率级，采用CSP 2.59 x 3.85mm封装

该芯片支持独立的高侧和低侧控制输入、输入信号兼容3.3V CMOS逻辑或15V模拟控制器、输出节点1ns的开关时间、在负瞬态条件下运行的强健电平转换器、输出节点的抗误触发能力大于100V/ns、内置高侧和低侧电源的欠压锁定。

该芯片适合升压和降压转换器、半桥、全桥或LLC隔离转换器、D类开关音频放大器、以及单相和三相电机驱动逆变器等诸多场景应用。

宜普EPC23102集成高侧和低侧eGaN场效应晶体管，带内部栅极驱动器和电平转换器功率级负载电流为1MHz、输出电流为35A，耐压为100V，采用QFN 3.5x5mm封装。

EPC23102采用5V外部偏置电源、独立的高侧和低侧控制输入、3.3 V或5V CMOS输入逻辑电平。该芯片逻辑锁定命令在输入同时为高电平时关闭两个FET、外部电阻可调节SW开关时间和超过轨道及低于地的过电压尖峰、稳固的电平转换器可在硬开关和软开关条件下运行、对快速开关瞬态的误触发免疫、高侧自举电源的同步充电、禁用输入使VDRV电源进入低静态电流模式、低侧VDD电源的上电复位、高侧VBOOT电源的欠压锁定、在丧失VDRV电源时，为HS FET和LS FET提供主动栅极下拉、具有暴露顶面的热增强型QFN封装，可从结到顶侧散热器实现低热阻。

EPC23102适合降压、升压、降压-升压转换器、半桥、全桥 LLC 转换器、电机驱动逆变器、D 类音频放大器等场景应用。

EPC23104集成了高侧和低侧eGaN FET，具有内部门极驱动器、级移器、引导电荷和门极驱动缓冲电路，功率级负载电流为1 MHz、输出电流为15 A，最大输入电压为100 V。

EPC23104采用5V外部偏置电源、私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，192092195963.3V或5V CMOS输入逻辑电平、独立的高侧和低侧控制输入

，当输入同时为高电平时，逻辑锁定命令关闭两个FET、外部电阻调节SW开关时间和超压尖峰，超过轨道和接地、在硬开关和软开关条件下运行的强健电平转换器。

EPC23104具备从快速开关瞬变中免受误触发、高侧自举电源的同步充电、禁用输入时，VDRV电源进入低静态电流模式、低侧VDD电源的上电复位、高侧VBOOT电源的上电复位、当VDRV电源丧失时，HS FET和LS FET的主动栅极下拉、具有裸露顶部的热增强QFN封装，以实现从结到顶侧散热器的低热阻等特性。该芯片非常适合降压、升压、降压-升压转换器、半桥、全桥 LLC转换器、电机驱动逆变器、D类音频放大器等诸多场景应用。

通过显微拍摄可清晰看到 ISG3201 的焊盘依次为 SW，PGND 和 VIN，独特的焊盘设计缩小了功率路径的环路面积，同时增大了散热面积，有效降低器件运行时的温升。相比传统分立的驱动器+氮化镓解决方案，电路设计更加简化，PCB尺寸更小巧，可设计单面布板，寄生参数更小，系统性能更优。

英诺赛科ISG3201是一颗100V耐压的半桥氮化镓功率芯片，芯片内部封装两颗耐压 100V，导阻 3.2mΩ 的增强型氮化镓开关管以及100V半桥驱动器。内部集成的驱动器省去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。半桥氮化镓器件具备60A连续电流能力，无反向恢复电荷，并具有极低的导通电阻。

ISG3201 外围元件非常精简，芯片内部集成了驱动电阻、自举电容和供电滤波电容。英诺赛科在这款芯片上采用固化驱动形式，减少栅极和功率回路寄生电感，并简化功率路径设计。该芯片还具有独立的高侧和低侧 PWM 信号输入，并支持 TTL 电平驱动，可由专用控制器或通用 MCU 进行驱动控制。

在应用方面，英诺赛科 ISG3201 半桥氮化镓功率芯片适用于高频高功率密度降压转换器，半桥和全桥转换器，D类功放，LLC 转换器和功率模组应用，可用于 AI，服务器，通信，数据中心等应用场景。48V 工作电压也满足 USB PD 3.1 快充以及户外电源相关应用，通过集成的半桥器件，简化功率组件的开发设计。

英诺赛科ISG3202是一颗100V耐压的半桥氮化镓功率芯片，隶属SolidGaN系列，芯片内部封装两颗耐压100V，导阻3.2mΩ的增强型氮化镓开关管、1颗100V半桥驱动器以及若干电容电阻，可极大地简化系统BOM，减少占板面积高达73%。

ISG3202经过优化功率回路设计，可支持私家侦探，侦探公司，调查公司，查人找物，商务调查，出轨外遇调查，婚外情调查，私人调查，19209219596高达5MHz开关频率，具有高效率和低EMI，内置智能自举开关保证高边/低边驱动电压一致，内置多种保护机制确保系统可靠性。同时ISG3202还内置了VCC/BST 电容，能够极大简化系统成本；并具备传输延迟更短（14ns），延迟匹配更好，VCC静态电流更低等优势。

英诺赛科ISG3204是一款栅极驱动器的2.4mΩ 100V半桥GaN功率芯片，隶属SolidGaN系列，采用紧凑的5mm×6.5mm LGA封装。封装内包含两颗高性能GaN FET、驱动器，提供紧凑、高效的GaN功率解决方案，主要应用于电机驱动。

ISG3204 提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端GaN FET，以实现最大灵活性。分离的驱动器输出允许独立调节导通和关断强度，优化电磁干扰和效率。

ISG3204 具有输入互锁功能和内部自适应防直通保护电路，确保即使在接近零死区时间的情况下也不会出现同时导通。ISG3204内置全面的保护功能，包括主动Bootstrap（BST）电压控制，防止过充电并确保稳定的栅极驱动电压，VCC 和 BST 均有独立的欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO），以及过温保护。

ISG3206是一款内置100V耐压，导阻5.5mΩ的半桥GaN功率模块，隶属SolidGaN系列，封装于小巧的5×6.5mm LGA 封装中。封装内包含两颗高性能增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）、驱动器、栅极电阻以及驱动器供电电容，为行业提供了紧凑且高效的氮化镓功率解决方案。

ISG3206 配备两个逻辑输入端，用于控制高侧和低侧氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），从而实现最大程度的灵活性。分离的驱动器输出端允许独立调节导通和关断强度，从而在电磁干扰（EMI）和效率方面达到优化。

ISG3206 具有输入互锁功能和内部自适应防止直通保护电路，确保即使在接近零死区时间的情况下，也不会出现输出同时导通的情况。产品内置全面的故障保护功能，包括用于防止过充电并确保稳定栅极驱动电压的主动自举（BST）电压控制，针对 VCC 和 BST 的独立欠压锁定（UVLO）和过压锁定（OVLO），以及过热保护功能。

英诺赛科ISG3208是一颗100V、45A半桥功率氮化镓模块，采用紧凑的6.5mm x 6.5mm LGA封装。其内部集成了两颗高性能GaN FET、驱动器以及驱动供电电容，提供业内紧凑且高效的 GaN电源解决方案。

ISG3208提供两个逻辑输入，用于分别控制高边和低边 GaN FET，实现最大设计灵活性。其分离式驱动输出允许独立调节开通与关断强度，从而在 EMI 和效率之间取得最佳平衡。

该器件具备输入互锁和自适应交叉导通保护电路，确保即便在接近零死区时间下，也不会出现高低边同时导通的情况。ISG3208 还集成了全面的故障保护功能，包括：主动自举电压控制以防止过充并确保稳定的栅极驱动电压、针对VCC与BST的独立UVLO与OVLO保护，以及过温保护。

凭借快速传输延迟、优异的延迟匹配、出色的 dv/dt 抗扰性 以及 超低的封装寄生电感回路，ISG3208 可帮助设计人员在功率密度和效率上实现显著提升。

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